DRAM大厂南科7日召开法说，南科副总经理暨发言人白培霖表示，尽管近期DRAM现货价部分出现反弹，但模块价格却未跟涨，合约价也持续走跌，显示终端需求尚未浮现，仅以测试底部视之；真要见到价格反弹曙光，则需待至明年2月下旬、3月初，才有机会。
DRAM现货价本周出现回升反弹，DDR2 512Mb eTT颗粒价格一度站回0.9美元，DDR2 1Gb eTT颗粒价格也回到1.91美元；唯独颗粒价格涨，但模块却未见涨声同相应，合约价更是持续走跌。因此，白培霖认为，终端需求尚未确实浮现，仅是反复测试底部。
尽管如此，白培霖说，目前距离底部也已不远矣，预估12月合约价将再下滑10%左右，明年在美国大选年和大陆奥运两大题材发酵下，Vista SP1也将在明年问市，PC搭载量有机会随之提升，刺激终端需求；加上多余库存逐步消化，预估明年2月下旬、3月初，便可见到DRAM价格反弹曙光。
不过，白培霖也表示，在DRAM价格疲软不振下，近期DRAM厂要获利，实在不容易，甚至到了明年第1季，都难见转亏为盈，最快也得等到明年第2季才可望见到DRAM产业的春燕归来。
另一方面，在制程转换上，由于DRAM价格低，对于边际效益贡献小，为了进一步提升竞争力，白培霖指出，将转进70奈米的进展提前3至4个月，预计到明年第1季至第2季间，12吋厂将完全以70奈米投片，1Gb产出将因而增加，并提前进入DDR3，月产能将达到3万片。
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