上周内存厂商威刚以及南亚科、华亚科陆续召开法说会，虽然公布第2季财报数字不如预期，但对于第3季内存市场景气都释出谨慎乐观看法。威刚董事长陈立白甚至预估第3季营收可望较第2季成长40%以上。南科以及华亚科也对第3季DRAM市况抱持乐观态度，甚至认为第4季需求更旺，DRAM价格将有机会再度向上弹跳。
与第1季相较，第2季无论是 Flash及DRAM现货价格均持续下跌，根据DRAMeXchange统计数据显示，以DDR2512MB 64×8 ETT/UTT现货价格为例，第 1季由美金5.49元下跌到美金2.84元，跌幅约48%；第2季持续下跌至5月下旬美金1.36元，跌幅约52%，之后逐渐回稳，而6月份现货价格则再度站上美金2元以上
而在Flash部份，以MLC 8Gb为例，第1季由美金6.72元一路下滑至2月底之美金5.04元后，随即反弹至3月底美金9.04元，涨幅高达79%，第2季起再度下跌至5月底之美金6.86元价位，跌幅亦达30%。
第2季4、5月份DRAM及Flash产品由于均受到价格跌幅过大影响，以致上游制造商或是下游模块厂获利表现皆大幅不如第1季，虽然6月份受到价格跌深反弹，有助获利表现，惟整体第2季而言，上游制造厂普遍仍多为亏损状态，模块厂获利结构尚有Flash支撑，但是 DRAM产品比重高者，获利仍受到相当大冲击。
展望第3季，业者指出，拜笔记型计算机大厂促销动作积极，加上预期在低价效应下、8月起终端市场买气可望加温，在诸多利多讯息加持下，市场乐观认为DRAM市况将反转，价格也将触底翻升，另考虑DDR2已可归类成消费性电子产品中的消耗品，终端市场买气一定会上扬，只是时间早晚问题而已。
而近来在笔记型计算机大厂强力促销下，DRAM大厂出货量开始上扬，从近期合约价调涨，可见一班；而三星电子亦预期NAND Flash价格则可望在下半年止稳，主要是拜内存容量较高的新产品 (如新款手机、内建固态硬盘的笔记型计算机/UMPC)陆续推出所赐。
威刚董事长陈立白表示，第3季在Flash以及DRAM难得都会成长下，预估第3季营收可望较第2季成长40%。此外，陈立白指出，Nand Flash在6月底已经缺货，第3季进入需求旺季，预料7、8、9月缺货情况只会更加严重。DRAM方面，受到大厂在4、5移转部份产能至NandFlash，预料7、8月产出增加量将受压抑，因此第3季DRAM价格将平稳趋坚。
南科及华亚科也同时看好下半年DRAM产业景气，其中华亚科预期下半年DRAM价格可望逐季攀高，南科更表示，下半年该公司DRAM产能将供不应求，目前供需缺口逾2成。
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