NAND型闪存业者对于三星电子在2006年底曾因63奈米制程更动设计架构、导致兼容性出错事件仍记忆犹新，近期却又再度发生海力士60奈米MLC制程重蹈覆辙，与控制IC搭配出现兼容性问题，海力士其中1座厂房还为此停工近1周，紧急与多家控制IC业者开会找出问题症结后，已有初步解决方案。下游模块厂和控制IC业者对此都直呼，还好这次NAND Flash没有直接上生产线量产，否则恐重演上次退货事件。

控制IC业者表示，整个NAND Flash产业制程不断微缩，由于物理限制难度攀升，导致NAND Flash芯片质量和兼容性越来越差，此现象在进入60奈米制程世代后，出问题频率越来越高，在不到1年当中包括三星和海力士等NAND Flash大厂，都接连在60奈米制程上摔跤，至于其它NAND Flash厂并不是没遇到瓶颈，可能是发现的时间点较早，情况相对较不严重。

尽管一直以来海力士在NAND Flash制程技术上，都是较2家龙头厂三星和东芝约慢1个世代，这2家大厂2007年已要往50奈米制程量产，但海力士60奈米MLC制程却才刚要出炉，然日前却传出海力士仍重蹈覆辙，发生类似2006年底三星制程兼容性问题。

控制IC业者透露，在问题发生初期，由于无法厘清是NAND Flash制程本身问题，还是控制IC支持度不够，让海力士内部相当紧张，甚至在5月底、6月初这段期间，其中1座厂房还为此停工近1周，与多家控制IC业者召开多次紧急会议，共同找出问题症结点。

事实上，控制IC业者对于此一情况相当紧张，因为2006年底三星63奈米制程爆发兼容性问题时，是在NAND Flash芯片已上生产线、且制造成记忆卡后才被发现，甚至导致模块厂紧急将该批记忆卡召回，而最后所产生损失和责任亦是由控制IC业者负责。

下游模块厂表示，若这次海力士60奈米制程问题未获完全解决，一旦产品上生产线或是量产铺货之后，才被消费者退货，将会对模块厂或控制IC业者的实际营运和产品形象造成冲击，后果恐将不堪设想。

事实上，2006年底记忆卡退货风波，便在大陆市场闹得沸沸扬扬，台厂被当地消费者和媒体质疑将瑕疵品转往大陆销售，甚至一度拒买台厂出品的记忆卡，后来台厂花了很多时间和力气才顺利摆平，因此，这次不论是控制IC或是模块厂，在认证和试产态度上都已记取教训，更加小心谨慎。

值得注意的是，随着NAND Flash即将进一步迈入50奈米制程世代，加上MLC制程比SLC制程更加复杂，使得NAND Flash大厂及控制IC业者均谨慎小心，深怕一个不小心便对公司造成重大影响。

控制IC业者表示，海力士内部在经过近2周不断努力后，初步已找出问题点，现正与多家控制IC业者讨论芯片设计更动，相信由于发现时间点还算早，这次问题后续效应不会像上次那么严重，短期内应可顺利解决并量产出货。

·业者报料   ·渠道求助   ·消费者投诉   ·网吧业主求助   ·在线报修

【声明】DISCLOSER刊载此文不代表同意其说法或描述，仅为提供更多信息，也不构成任何建议。对本文有任何异议，请联络WEBMASTER@DISCLOSER.NET。