市调机构IC Insights公布最新研究报告，去年全球半导体厂资本支出约为五四七．五亿美元，占了全球销售额的二二．一％，但DRAM及快闪记忆体的资本支出对营收比重，却分别是产业总水准的二倍及二．五倍，显示记忆体厂的资本支出已有严重扩张的问题。IC Insights指出，今年看来记忆体厂仍持续扩增资本支出，似乎忘了过去一再重演的供给过剩戏码，记忆体厂本身才是自己最大的敌人。

根据IC Insights的统计，去年以逻辑IC为主的IDM厂或晶圆代工厂，资本支出的规模都维持一定水准而已，所以处理器及控制器的制造厂商，去年资本支出占总营收比重约一九．五％，晶圆代工厂的资本支出占总营收比重则仅一八．四％，均低于产业平均比重的二二．一％。至于去年景气大好的记忆体厂，资本支出占总营收比重就出现极度扩张情况，DRAM厂比重约四一．一％，快闪记忆体厂比重为五七．二％，均是产业平均水准的二倍以上。

报告中指出，台湾DRAM厂的资本支出扩张情况十分惊人，力晶去年资本支出占营收比重高达九二％，南亚科技比重则逼近一○○％，韩国记忆体厂海力士比重亦高达五五％，连大量委外代工的日本DRAM厂尔必达，资本支出占营收比重都还达三六％，均高于产业平均水准，显示记忆体厂的资本投资已进入不太理性的情况。

IC Insights认为，记忆体厂虽看好未来几年的市场需求强度，如微软作业系统Vista将使得电脑内建DRAM模组容量由一GB提高至二GB，手机及记忆卡等产品亦将大量去化NAND产能，但是一旦需求未如原本预期强劲，将导致记忆体出现非理性的跌价，这就会严重伤害到记忆体厂本身的营运成绩。由于过去记忆体市场出现过多次的不理性投资，最后都因无法承受亏损的厂商退出，割喉战才暂告停止，这回记忆体资本支出严重扩张，业者本身将成为自己最大的敌人。

今年以来DRAM及NAND价格均出现大跌走势，虽然四月以来价格出现反弹，不过主流产品如五一二Mb DDR2及八Gb NAND晶片，首季价格跌幅仍有四成左右，而由今年记忆体厂的投资动作来看，台湾DRAM厂十二寸厂兴建动作未停，三星、东芝、海力士、IM Flash等亦大扩NAND产能，也难怪IC Insights在报告最后以“似曾相识”来形容此一现象，暗示过去的历史恐怕将再度重演。

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