据EETimesEurope报导，SanDisk与HynixSemiconductor计划合资兴建工厂，开发与生产采用four-bit-per-cellx4技术的闪存产品；目前这两家公司已经签订了相关技术的专利相互使用授权。这两家公司将投资相同金额的资金，在Hynix的生产基地扩充产能。在SanDisk以13亿5000万美元收购msystems公司之前，msystems与Hynix就已经在x4技术上有所合作。
Hynix高阶主管表示，透过双方签订的专利使用授权，该公司与SanDisk将可专心研发x4技术；该公司期待这项结盟将可为双方带来利益。SanDisk高阶主管也表示，双方签订的使用授权涵盖Hynix与SanDisk之间的所有IP问题，也让双方都可以专注于极力扩大自身的商业机会。
Hynix之前与STMicroelectronics就已有一项NAND闪存的制造合资计划在进行，将开始在中国采用70奈米程序生产4-Gbit与8G-bit组件。另外，Hynix在本周也解决了与Toshiba之间有关于DRAM与NAND技术的专利权争议，双方也签订了相互授权与产品供应的协议。双方之间协议的内容并未透露，但可能牵涉到Hynix对于Toshiba支付现金。
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