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英特尔:无惧NAND过剩与美光合资持续产能扩张

 发表日期:2007-03-08 作者:霹雳火 上下游撮合




尽管过去几个月NAND闪存价格急速下跌,市场情势恶化,Intel与MicronTechnology合资公司IMFlashTechnologiesLLC将持续进行产能扩张计划。

Intel闪存事业群总经理BrianHarrison表示:「长期来看,我们认为这是有利可图的业务。」

他坦承,NAND目前的价格「很严峻」,但Intel将永续经营。他表示,公司将持续研究产业景气,如果情况持续恶化,会暂缓产能扩张计划。

成立于2006年1月的IMFlash在爱达荷州的Boise有一8吋晶圆厂,位于维吉尼亚州Manassas的12吋厂即将投产,而犹他州Lehi的12吋厂已在上周生产出首批晶圆。规划中的新加坡12吋厂将于本月动土,预计2008年启用。Harrison表示,公司的策略是每年启用一座晶圆厂。

IMFlash在去年底宣布新加坡的建厂计划后,市场研究公司Gartner分析师JoeUnsworth警告,其产能扩张计划可能拖长NAND市场的价格压力。

NAND价格在2006年大跌约60%,2007年持续快速滑落,有些分析师预估今年跌幅将达65%。

Intel计划在2006和2007年投资30亿美元于非挥发性内存技术,IMFlash的扩厂是此计划的一部份。Harrison坦承,IMFlash短期内很难获利。

Gartner分析师Unsworth指出,IMFlash并不是唯一增产的厂商。ToshibaCorp.和SanDiskCorp目前正兴建他们合资的第4厂,同时提高第3厂产量。SamsungElectronics、HynixSemiconductor则似乎按兵不动。

Unsworth表示:「我们预期,今年底和2008年将有新的需求浮现,吸收大量产能。」他特别点出Apple的iPhone手机即将上市,对内存容量有很大的需求。

Intel和Micron认为近期的跌价只有短暂的影响,他们对长期的NAND市场很有信心,并认为扩厂将会开花结果。Harrison引述Intel及其它分析师预估数字,表示非挥发内存市场将在2010年成长到400亿美元,较2006年的200亿成长1倍。同期间,NAND位数的成长则预期高达7倍。

至于短期行情,Harrison说:「我不想预测2008年的价格环境,但我认为市场预期会好转,不会像今年第1季那么糟。」

 

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