IBM、Macronix（旺宏）及Qimonda（奇梦达）宣布共同研发的“相变化内存”（Phase-Change Memory，PCM）技术获得重大突破，此新型内存转速较闪存（flash）快500多倍，读写数据耗电量少1/2，此项新技术突破将替未来半导体科技产业写下崭新一页。

IBM、Macronix及Qimonda共同发表联合声明表示，该新型计算机内存可能取代目前广泛应用于计算机及一般消费性电子产品的闪存。

声明中表示，该内存采用一种新的半导体合金，尺寸较一般闪存更小，这使得未来新一代高密度非挥发性内存设备与功能更强大的电子产品成为可能。

声明中指出，非挥发性内存不需要电力来保存讯息，透过非挥发性、卓越性及可靠性3种技术的结合，新内存技术可望制造出应用于移动通讯的通用内存。

IBM、Macronix及Qimonda连手的研究团队日前于国际电子组件大会（IEDM）上首度发表这项成果，证实仅需要小于100微安培的电流，即可在厚3奈米，宽20奈米之GeSb（Germanium Antimonide）组件上迅速完成相变化，这项新技术对未来10多年后才会进入20奈米的预测，提供了可行性的前景，因此相当具有影响性。

《日本经济新闻》2006年6月份报导指出，日本Elpida将从今年开始投入一种名为（PRAM）的原型相变内存设备研发，并计划在未来2-3年内投入量产，报导指出，Elpida将开始生产的可能是128M的PRAM芯片。

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