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集邦科技:预言DDR3芯片将在2009年超越DDR2!

 发表日期:2006-09-26 作者:中国电子资讯参考 上下游撮合 分销价社区 内幕参考




据EE Times报导,市场研究公司集邦科技DRAMExchange相信DDR3芯片在2008年度将占有整体DRAM市场的30%,它更将在2009年度超越DDR2芯片。

虽然不久之前DDR2才开始取代DDR1成为产业主流内存,不过大部份DRAM制造商都已经陆续提供DDR3的样品给系统设计商。Samsung在2005年度展示了一款DDR3芯片,Infineon Technologies(现为Qimonda)在该年稍后也供应了working prototype给Intel。从那时迄今,大部份内存制造商都已开始提供DDR3样品,密度可达512 Mb。

Micron最近预备将1-Gb DDR3记忆芯片出货给客户供评估,这款芯片采用78-nm程序技术,预定在2007年初开始量产;它支持800 Mb/s至1600 Mb/s的data rates,clock frequencies介于400至800 MHz,是DDR2的两倍。DDR3由于比较省电,产生的热量也比较少,对于笔记型计算机与服务器特别具有吸引力。Micron表示2-Gb DDR3芯片也将在明年初ready。

 

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