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集邦:DDR2合约价仍有2-3%涨幅可期,Nand续跌

 发表日期:2006-08-07 作者:中国电子资讯参考 上下游撮合系统




记忆体市调机构DRAMeXchange(集邦科技)表示,合约市场DDR及DDR2目前处于供给吃紧状态,主要原因在于电脑系统大厂的需求持续攀高,而DRAM厂商供给增加幅度不及需求增加幅度,预估8月DDR2合约价格每次仍有2-3%涨幅可预期。
 
DRAMeXchange指出,目前DDR2 512MB模组已经不容易见到40美元以下的合约价格,因此,预期在8月上旬部分价格太低的合约价格将会调涨至正常水准。

整体而言,DRAMeXChange预期DDR2合约市场价格仍将缓步上涨,512MB均价至9月底可望达到44至45美元。 DDR模组在9月底前,应持续维持高档,预估在10月后,随着需求减少,价格可能向下修正。

在NAND Flash方面,DRAMeXchange指出, 7月最后一周在Samsung采取锁货策略长达3周后,终于在上周开始供货给客户;而另一厂商Hynix则是固定在每月的第4 周供货给大中华地区的客户,因此,上周NAND Flash现货市场各种产品规格的供给端开始处于供给过剩的状态。

由于NAND Flash终端应用产品的需求远不如之前预期,下游厂商手上的库存量并未随着Samsung的锁货策略而完全消化。下游厂商处在月底供货的状况下,纷纷开始调节手上的库存,因而造成所有NAND Flash的现货价格全部下跌。其中,又以现货市场平时需求较小的16Gb、8Gb和1Gb跌幅最大,这3种规格的跌幅均超过10% 以上,远远大过各自在6月时的现货价格跌幅。

DRAMeXchange表示,回顾过去1年所有规格的NAND Flash价格走势,除了去年第3、4季因为 Apple的iPod Nano和Shuffle热卖造成NAND Flash供给端货源吃紧导致现货价格往上攀升之外,其余时间整个NAND Flash市场的现货价格走势完全吻合。

以目前这个时间点来看,NAND Flash的价格在未来1至2周内,尚无明显的刺激因素可以驱使整个现货价格往上涨,顶多在供应商采取适当的紧缩策略下,使整个NAND Flash现货市场的价格波动可以再度回到稳定的状态。目前看来,唯有等到下一个热卖的NAND Flash终端应用产品出现时,NAND Flash的现货价才有可能重演去年下半年的荣景。

 

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