市调机构American Technology Research指出，三星电子已延后8-gigabit NAND闪存芯片的出货，但该公司正悄悄地开发一种每记忆单位4位技术(4bits/cell)的NAND技术。

American Technology Research表示，上述消息是三星在公布第二季财报时披露的，财报显示三星将把8Gbit multi-level-cell (MLC) NAND出货延后一季(by a quarter)。与此同时，三星亦计划扩大其产品组合。American Technology Research分析师Satya Chillara在一份报告中表示：「三星正提出自己版本的4bits/cell闪存技术，并计划在2008年投产。

三星的技术将与以色列公司msystems、Saifun，以及其它公司进行竞争。msystems表示，该公司预计在2007年初开始大规模生产其最近宣布的x4 NAND闪存组件。Saifun则开发出了一种4bits/cell技术，代号为“Quad-NROM”；该公司已向英飞凌(Infineon)和Spansion等厂商提供这种技术的授权。

【声明】中国电子资讯参考刊载此文不代表同意其说法或描述，仅为提供更多信息，也不构成任何建议。对本文有任何异议，请联络question@discloser.net。