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Hynix:第2季净利3.41亿美元年增36% 低于预期

 发表日期:2006-07-20 作者:中国电子资讯参考 上下游撮合系统




南韩半导体大厂Hynix Semiconductor Inc.20日公布第2季财报,在DRAM价格上涨及快闪记忆体(flash)出货攀高的带动下,净利较去年同期成长36% ,但略低于分析师预期。
 
Hynix第2季净利增至3244亿韩元(3.41亿美元),低于分析师预期的3609亿韩元,去年同期获利2384亿韩元。营收成长28%至 1.578兆韩元,营业获利攀升 1%至3231亿韩元。(美元兑韩元为1:950)。

Hynix发表声明指出:“尽管处于传统淡季,DRAM价格仍维持稳定,主要原因是缩减体积的技术难以突破及专业DRAM产能比重提高,所造成的供给普遍吃紧。”

在产品价格方面,Hynix表示第2季DRAM价格较第1季上扬1%,而位元出货季增20%。NAND flash均价较第1季重挫44%,但位元出货成长84%。

许多分析师认为, Hynix在第3、4季的销售旺季,获利应可改善。Merrill Lynch(美林)分析师Simon Woo指出:“我们认为,2006年下半年和2007年DRAM价格将持续稳定,而供给成长不可能超过需求成长。”

 

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