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集邦:DDR现货价维持高档,Flash需求可望回升

 发表日期:2006-07-17 作者:中国电子资讯参考 上下游撮合系统




 

文内存市场研究机构DRAMeXchange针对DRAMNAND Flash市场发布最新调查报告指出,DDR因现货市场货源不足与模块厂商库存减少,价格仍维持高档不见下滑;

NAND Flash现货市场出现价格跌深反弹的现象,以2Gb价格表现最为明显,后续整体市场的现货价格可望随着7月底后需求回升而逐渐止稳。根据DRAMeXchange所公布的数据,上周现货市场DDR价格小幅上扬,带动DXI指数由上周3374小幅上涨至3405。该机构指出,DDR颗粒在现货市场货源不足及模块厂商库存减少下,DDR 256Mb eTT价格来到2.41美元已经与DDR 256Mb价格相同。DDR 512Mb (64Mb*8) 400MHz则小幅上涨至4.89美元。

而近期在部份DRAM厂产能吃紧下,也排挤到绘图卡应用的颗粒,使得绘图卡厂商必须到现货市场搜购颗粒,使得DDR 256Mb 16*16颗粒价格上涨到2.19美元。在DDR2部分,现货市场仍没有太多的交易量流通,DDR2 533MHz 512Mb (64Mb*8)价格维持在4.63美元。DDR2 512Mb 64Mx8 eTT (UTT)价格则小幅反弹至3.61美元。

DRAMeXchange指出,虽然七月上旬计算机系统大厂要求DDR2价格再降至少5%,适逢美国国庆长假而使谈判时间拖长,但在供给趋紧之下,多数DRAM厂皆表示库存已降至一周或以下,价格持平或仅小幅下跌较属合理。而六月下旬该机构所公布的DDR2 512MB模块报价,最低价38美元为特别价,一般成交价仍在40美元左右。 因此DRAM厂也表示,七月上旬仅接受38美元为最低价。

而「高价」二线客户的谈判空间不若一线客户,且三星(Samsung)也坚持持平价格。因此,DRAMeXchange所公布的七月上旬合约价,DDR2以持平开出,价格区间在3843美元,DDR1则每家涨幅不一,DDR 512MB约上涨12美元,价格区间为3943美元。 展望下旬,有些DRAM厂认为价格持平,有些则认为价格将成功上涨。

市场人士认为DRAM供给将持续吃紧,即使计算机大厂拉高库存量,至九月仍无法避免短缺。因此,DRAMeXchange预估,九月DDR2 533MHz 512MB合约价均价将涨到4445美元。DDR2 667MHz 512MB,则可能与DDR2 533MHz 512MB维持同价,或仅高1美元,约为4546美元。

NAND Flash部分,现货市场在六月因传统淡季、厂商半年报和世足赛等因素的交替影响之下,现货价格不断持续向下修正。DRAMeXchange表示,原本市场预期七月中之前整个NAND Flash现货市场需求低迷的状况将会持续存在,不过在上周四的下午现货市场开始出现一些变化,2GB/4Gb在现货供应量稍微紧缩的影响之下,市场需求开始增强使得价格出现反转向上的迹象,相对也带动其它规格的上涨力道,整体现货市场价格开始呈现上升的走势。

DRAMeXchange指出,AppleMicrosoftSanDisk等领导厂商下半年都将推出高容量MP3机种,对Flash市场需求具有正面激励效果。

Samsung因此预期7月底后需求开始回升,且一些厂商也看好8~11月的传统旺季需求,对未来Flash的现货价格走势都具有稳定作用。但目前下半年的整体景气能见度仍不高,所以未来NAND Flash现货市场的整体价格是否正式开始往上升,可能需要等到7月下旬才能更清楚的判断。 而因市场预期7月下旬需求将会改善,DRAMeXchange预期NAND Flash现货市场价格走势将可望止稳。


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